서울시 "석촌지하도 싱크홀 9호선 터널공사 원인"

서울시가 석촌지하차도 앞에서 발생한 싱크홀(지반침하)은 지하철 9호선 3단계 건설을 위한 터널 공사가 원인이라는 1차 중간 조사결과를 발표했다.

지난 5일 석촌지하차도에서 발견된 폭 2.5m, 깊이 5m, 연장 8m의 싱크홀이 발생했다.

서울시는 전문가 조사단의 중간 조사 결과를 이날 공개했다.

조사단은 현재까지 조사로는 지하철 9호선 3단계 건설을 위해 석촌지하차도 하부를 통과하는 쉴드(Shield) 터널 공사가 싱크홀의 원인으로 추정된다고 밝혔다.

쉴드 공법은 터널 굴착 방법의 하나로 원통형 쉴드(강재)를 회전시켜 흙과 바위를 부수면서 수평으로 굴을 파고들어가는 방식이다.

조사단은 지반침하가 발생한 구간은 지하수에 취약한 모래와 자갈이 두껍게 자리한 구간으로 지하수 수위의 변동에 따라 침하가 발생할 가능성이 크다고 설명했다.

시는 이달 말까지 현장 주변 건물에 계측기를 설치해 균열, 경사도, 침하상태를 측정하고 기준을 벗어난 건축물이 발생하면 쉴드 터널 공사를 즉각 중단할 계획이다.

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